那么南大光电到底突破了什么技术？今天咱们就来聊一聊。我们都知道在如今的社会，光刻机是制造芯片所必不可少的工具，但实际上还有一样东西，也是制造芯片所必不可少的，那就是光刻胶。 提起光刻胶可能许多人都感到十分的陌生，更是会认为光刻胶或许就是光刻机所使用的材料的，但实际上并不是这样的。 光刻胶，又称光致抗蚀剂，具有光化学敏感性，在光的照射之下，其溶解度会发生变化，一般都是在液态的情况下，将其涂覆在半导体以及导体等基片表面上。 在经过曝光和烘烤后，使其形成固态，以此来实现从掩膜版到基片上的图形转移，同时也能在后续的处理工序中，保护基片不受侵蚀，是微细加工技术中的关键材料。 同时光刻胶还有着正胶和负胶之分。 正胶在经过曝光后，受到光照的部分，会变得极易溶解，在经过显影后，就会留下未受光照的部分并形成图形。 而负胶则恰恰相反，在经过曝光之后，受到光照的部分，会变得不易溶解，在经过显影后，就会留下光照的部分并形成图形。 而就目前的市场来说，光刻胶一般是应用于平板、LED、通讯信息、投影仪、光伏以及半导体细微加工等领域。

同时光刻胶的研发，也是整个半导体生产过程中，消耗时间最长且工艺难度最大的制作工艺之一，质量更是对光刻工艺起到了重要的影响，这也就导致在半导体的制造过程中，对光刻胶有着十分严苛的要求。 也正是因如此，光刻胶这种必要材料，一直是我国重点研发的项目，只可惜目前全球的光刻胶技术，却基本都集中在了日本的企业中。 就比如在光刻胶生产时所需要的20多种材料中，有接近三分之二的材料技术，都掌握在日本企业的手中。 而这些日本的企业，更是占据着接近80%的市场份额，同时在高端光刻胶技术领域，也一直处于一个垄断的地位。 这也就导致我们要想继续对高端芯片进行研究，每年必须要花大的价钱，从日本的企业那里进口光刻胶，这对于我国众多的芯片企业来说，都是一笔不小的开销。 加之在最近几年的时间里，老美又多次在芯片领域，对我们实行了大大小小的限制方案，导致我国在芯片领域一直无法取得较大的进展。 那么这个时候问题就来了，既然日本可以拥有这项技术，为什么我们就不能自己去研发呢？这样不就不会被外国“卡脖子”了吗？

 话虽然可以这么说，但要知道的是，光刻胶的研发难度可不比光刻机小多少，更何况在之前很长的一段时间里，中国的光刻胶产品并未形成太大的规模，因此要想自主突破光刻胶技术，更是难上加难。 首先光刻胶产品的验证周期，可是非常漫长，而用于半导体产业的光刻胶，验证的时间甚至长达2到3年，且在验证的过程中，还需要与光刻机、掩膜版等多个步骤相互配合。 因此就需要付出极高的成本，这也就导致许多的企业，不愿将发展方向延伸至光刻胶这一领域。 其次就是生产光刻胶的材料，具有特别高的专利壁垒。 就以最重要的树脂为例，研制不同的光刻胶，就需要调配不同的树脂材料，而在通常的情况下，光刻胶企业在成功合成了一种树脂后，立刻就会申请专利技术。 在这样的此消彼长之下，就会导致全球头部的光刻胶巨头，都在树脂材料方面，建立起了雄厚专利壁垒。 也正因如此，导致我们在光刻胶领域一直无法取得较大的进步，但这一切的一切，都伴随着一条消息的传出被打破了。

 就在前不久的时候，南大光电重磅宣布，已经突破了有关光刻胶的关键技术，而完全由他们自主研发的ArF光刻胶，可以正式用于55nm以及14nm芯片的生产，同时也已经开始了大规模的量产，目前正在向下游客户推进。 而伴随着这个消息的传出，也因为着我们已经靠着自己的努力，成功打破了日企对光刻胶的垄断，更是在不久的未来，可以实现自给自足，并摆脱如今需要依赖进口的局面。 值得一提的是，虽然如今已经取得了十分重大的突破，但对于南大光电来说，未来发展的道路依旧是道阻且长的。 毕竟如今的南大光电，在ArF光刻胶方面，还处于一个初级的阶段，即便是真正实现了量产，也会有许多的供应问题，需要想办法去解决。 同时南大光电要想真正的取得成功，就必须要让下游的半导体企业，全部都认可他们所研发的光刻胶产品，这对于南大光电来说也是一大难题。 

加之在更为高端的产品方面，如今的南大光电还未曾进行研究，同时高端产品的研发，肯定是会存在更多的技术壁垒，因此想要自主研发的难度，无疑是更高的。 由此我们就不难看出，在不久的未来，南大光电所要面临的困难，可谓是非常多，但即便是困难再多，相信最后我们仍旧可以凭借着自己的智慧和血汗，将这些难题一一攻克。 而老美妄图以封锁来的打压我国科技崛起的美梦，最后也注定会变成泡影。